力積電(6770)做甚麼的?成熟製程到 3D 堆疊、氮化鎵合作與印度擴產

口袋學堂編輯團隊
口袋學堂編輯團隊市場分析師更新於 2025/10/01

AI 速讀・三點掌握全文

  • •力積電第四季營收回升,稼動率提高有望使虧損收斂。
  • •公司推進高階技術,發展晶圓級堆疊與氮化鎵生產。
  • •海外策略轉向技術授權,與印度合作建廠降低重資產風險。
力積電(6770)做甚麼的?成熟製程到 3D 堆疊、氮化鎵合作與印度擴產

本文重點速覽

  1. Q4 營收回升,關注虧損是否收斂:

    • 2025 年第四季單季營收約 124.95 億元 (依月營收加總),較前一季回升。市場多解讀隨著稼動率回升,虧損有機會收斂,惟實際獲利數字仍以公司 Q4 財報公告為準。

  2. 技術轉型雙箭頭:

    • 力積電持續推進高階技術,已完成晶圓級 3D 堆疊整合製程示範,正持續驗證;Navitas 亦規劃在力積電竹南廠生產 200mm GaN-on-Si 產品,目標鎖定 AI 資料中心電源市場。

  3. 海外策略定調 Fab IP:

    • 日本 SBI 設廠合作案已終止,印度 Tata 合作案則已簽署協議推進建廠,力積電海外策略確立以技術移轉與授權 (Fab IP) 收費模式為主,降低重資產風險。

 

中國擴產壓低價格,力積電 (6770) 為什麼選擇往技術門檻更高的 3D 堆疊與 GaN 發展?在終止日本 SBI 建廠案後,印度 Fab IP 模式能否成為獲利新動能?讀下去,你會看到力積電轉型的關鍵與挑戰。

 

一、 力積電公司概況與產品/服務

 

力積電前身為「力晶科技」,2010 年轉型為專業晶圓代工,總部位於新竹科學園區,主力為 8 吋與 12 吋成熟製程。

 

  • 服務範圍:
    • 邏輯及特殊製程:顯示驅動 IC、PMIC、MOSFET/IGBT/GaN、CIS、eNVM。
    • 記憶體代工:DRAM/NAND。
    • 平台服務:封裝測試(以記憶體零組件為主)、光罩、IP 與設計套件。
       
  • 技術佈局:擴充 3D 晶圓堆疊(WoW)/矽中介層(interposer)、高密度電容、先進堆疊製程;公司規劃以 P5 廠做為 3D 堆疊相關製程平台之一。

 

二、 近期市場關注焦點(2025)

 

2025 Q4 營收概況

  • 營收:約 124.95 億元 (季增回升)。
  • 12 月表現:單月營收 42.69 億元,年增 21.92%。
  • 獲利:市場多解讀 Q4 隨稼動率回升,虧損有機會收斂;實際仍以公司 Q4 財報公告為準。

 

關鍵合作與擴產進度

  • Soitec × 力積電/TLT 3D 堆疊:已完成晶圓級 3D 堆疊整合製程示範 (demonstration),並持續推進後續驗證。
  • Navitas × 力積電/200mm GaN:Navitas 規劃與力積電合作 200mm GaN-on-Si,100V 產品預計 2026 上半年開始生產。
  • 印度 Dholera 12 吋廠:合作案已簽署技術轉移/授權協議並推進建廠,依對外說法目標 2027 年左右量產,力積電以技術授權與支援收費為主。

 

三、 力積電產品應用場景與客戶

 

  • 汽車/工控:車用 MCU/電源、車身控制、BMS、MOSFET/IGBT 等。
  • 顯示/消費電子:顯示驅動 IC(DDI)、CIS、PMIC。
  • 功率半導體:8 吋線承接 MOSFET/IGBT/GaN,應用於 EV 充電/逆變器、伺服器電源。
  • 記憶體代工:P3 廠提供 25/22nm DRAM 及 28/24nm NAND 代工;並嘗試 DRAM × 邏輯 混合堆疊。

 

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四、 財務概況與營收組成 (2025 全年與 Q4 更新)

 

全年營收重回正成長軌道,但獲利結構仍處於調整期。

 

關鍵財務數據更新 (2025 全年觀點)

期間 營收表現 獲利指標 重點解讀
2025 Q4 約 124.95 億元
(較前一季回升)
(待財報公告) 市場解讀稼動率回升,
有助虧損收斂。
2025 全年 467.30 億元
(年增 4.48%)
(待財報公告) 全年營收恢復正成長,
力拚轉型陣痛期。

 

解讀:下半年修復仰賴 產品組合上移(3D 堆疊/GaN/矽中介層) 與 市場觀察非中供應鏈詢單增加 的持續性。

 

五、 技術與資本支出(AI 世代的切入點)

 

  • 3D 堆疊:透過 TLT 技術實現晶圓級 3D 堆疊,力積電持續在 P5 廠建立相關製程平台進行驗證。
  • GaN-on-Si:Navitas 規劃將 GaN 製程導入竹南 8B 產線,目標 2026 年上半年開始生產,開啟 AI 伺服器電源新成長軌。
  • 海外擴產:日本 SBI 設廠合作案已終止 (依公司對外說明)。公司海外策略仍以 Fab IP / 技術授權收費模式為主要方向。

 

六、 競品與市場格局

 

市場格局:台灣同業如聯電與世界先進在成熟節點市占較高;力積電確實在 8 吋功率元件、記憶體代工與特殊製程上與 UMC/VIS 做區隔。


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優勢

  • 多元產能組合:8 吋功率+12 吋邏輯/記憶體代工,向 3D 堆疊/矽中介層/GaN 上移。
  • 策略聯盟:Soitec(TLT)× Navitas(200mm GaN)× Tata(印度廠),有助拓展客戶與區域。

 

風險

  • 財務體質:連續虧損壓縮 CAPEX 與研發彈性。
  • 價格戰與匯率:常見壓力來源包括折舊攤提與匯率波動;實際影響以公司法說與財報附註為準。
  • 執行風險:3D 堆疊、GaN 與海外合資皆需時間驗證良率、量產與客戶導入。

 

七、 結論

 

力積電 (6770) 正處於營運轉型的關鍵期。短期財報仍受折舊與匯率壓力影響,但公司正以 3D 堆疊 與 200mm GaN-on-Si 尋求結構性上移,並透過印度 Fab IP 模式獲取授權收入。

 

能否走出連虧,關鍵在 新技術量產與客戶放量 的落地速度,以及 3D 堆疊與 GaN 是否能成為後續營運轉型的重要驗證指標。

 

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FAQ 常見問題

 

|Q1:力積電為什麼近期呈現虧損?

A:成熟製程競爭與折舊壓力。
市場普遍認為,中國晶圓廠擴產導致成熟製程價格戰激烈,加上新廠投產帶來的折舊攤提費用,以及匯率波動,是近期財報壓力的主要來源。

 

|Q2:印度建廠對力積電有什麼好處?

A:輕資產的 Fab IP 模式。
印度廠由 Tata 集團主導投資,力積電主要負責技術轉移與協助建廠。這種模式讓力積電不需負擔龐大的資本支出與折舊,卻能收取技術授權費,有助於改善財務結構。

 

|Q3:3D 堆疊技術 (WoW) 是什麼?

A:提升晶片效能的關鍵技術。
WoW (Wafer-on-Wafer) 是將兩片晶圓垂直堆疊的技術,能大幅縮短電訊傳輸距離、提升頻寬並降低功耗。力積電已完成相關製程示範,是其轉型高階市場的重要利器。

 

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專注於台股產業鏈深度解析、美股總體經濟脈動與全球 ETF 資產配置,以嚴謹數據與結構化觀點為底層邏輯,致力於為投資人過濾市場雜訊,建立清晰、即時且具實戰價值的決策地圖

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