2025 年 12 月，光電大廠 Coherent 發表 300mm 碳化矽（SiC）平台，鎖定 AI 資料中心的散熱與供電需求；同一時間，台灣的漢磊與世界先進正合力把 8 吋 SiC 晶圓推向 2026 年下半年量產。這兩件事放在一起看，說明了 SiC 產業正在經歷一次角色轉換：過去幾年撐起成長的電動車買盤明顯降溫，資料中心供電成為下一個接手的需求來源。
SiC 是什麼、為什麼能取代矽用在高壓元件上，以及台美兩地的概念股各自扮演什麼角色，是這篇文章要拆解的三個問題。
3 個重點先看
- 技術核心：SiC 靠寬能隙特性耐高壓、高溫，但晶棒成長與磊晶良率仍是量產門檻，8 吋轉換是目前產業焦點。
- 產業轉折：Yole Group 預估 SiC 功率元件設備市場規模將於 2030 年成長到近 100 億美元，但 2025 年產能利用率仍低迷，回溫要等到 2027～2028 年後。
- 台美角色不同：台廠多扮演磊晶代工與晶圓代工角色，美股企業則多是掌握基板到模組的垂直整合 IDM 廠。
碳化矽是什麼？和矽相比差在哪裡
碳化矽（Silicon Carbide，SiC）是由矽與碳原子以 1 比 1 結合而成的化合物半導體，晶體結構常見的是 4H-SiC。相較於傳統矽，它的能隙（bandgap）約 3.26 電子伏特，是矽的近 3 倍；崩潰電場約矽的 8 到 10 倍；熱傳導係數則約為矽的 2 到 3 倍。這三項物理特性合起來，讓 SiC 元件可以在更高的電壓、溫度與切換頻率下運作，同時晶片厚度能做得更薄、導通電阻更低。
| 特性 | 矽（Si） | 碳化矽（4H-SiC） |
|---|---|---|
| 能隙 | 約 1.12 電子伏特 | 約 3.26 電子伏特 |
| 崩潰電場 | 約 0.3 MV/cm | 約 2～3 MV/cm |
| 熱傳導係數 | 約 1.5 W/cm·K | 約 3.7～4.9 W/cm·K |
| 可耐受接面溫度 | 約 150°C | 可達 200°C 以上 |
崩潰電場愈高，代表同樣的耐壓需求下晶片可以做得更薄、電阻更低，這正是 SiC 元件被用在電動車逆變器、車用充電樁與高壓電源的原因——同樣功率下,體積更小、散熱更容易，轉換效率也更高。
技術核心：從晶棒、磊晶到元件的三道關卡
晶棒成長：良率是最大瓶頸
SiC 晶棒多以物理氣相傳輸法（PVT）在超過 2,000°C 的高溫下長成，生長速度只有矽晶棒的數十分之一，且晶體內容易出現微管洞、差排等缺陷。這也是 SiC 基板價格長期遠高於矽晶圓的主因，也是 6 吋轉 8 吋製程最大的挑戰所在：晶圓愈大，維持低缺陷密度與晶圓平整度愈困難，直接牽動良率與成本。
磊晶：決定元件品質的最後一關
晶棒切片、拋光成基板後，還要在表面成長一層磊晶層，元件真正的電性表現多半在這一層決定。磊晶層的厚度與雜質濃度控制，直接影響元件能耐受的電壓與漏電流大小，因此磊晶代工是 SiC 供應鏈中獨立於基板製造之外的一個關鍵環節。
元件製造：SBD 與 MOSFET 怎麼降低損耗
在磊晶片上做出的元件，常見的是蕭特基二極體（SBD）與金氧半場效電晶體（MOSFET）。SiC MOSFET 因為導通電阻低、切換速度快，能大幅降低元件在高頻切換時的能量損耗，這也是它逐漸取代矽基 IGBT，成為電動車逆變器與快充樁核心元件的原因。
SiC 產業現況：電動車降溫、AI 資料中心接棒
SiC 過去幾年的成長動能主要來自電動車，但這股需求在 2026 年明顯放緩。美國 2025 年電池電動車銷量僅較前一年成長 1.1%，加上進口車關稅與聯邦稅收抵免於 9 月底終止，都壓抑了買氣。以 SiC 元件供應商安森美（onsemi）為例，2026 年第一季營收為 15.1 億美元，低於 2024 年同期的 18.6 億美元，公司也將第二季營收指引下修至 14 至 15 億美元。
需求降溫加上先前擴產的產能陸續開出,讓整體供應轉為過剩。研究機構 Yole Group 於 2025 年 12 月的報告指出，2025 年 SiC 上游晶棒稼動率約僅五成、元件產線稼動率約七成，產能消化恐怕要到 2027 至 2028 年才會緩解；但同一份報告也預估，SiC 功率元件設備市場規模將在 2030 年成長到近 100 億美元，屆時 8 吋晶圓平台與新一代溝槽式、超接面 MOSFET 技術會是下一輪成長的主力。
SiC 龍頭 Wolfspeed 已在 2025 年 9 月完成財務重整，債務規模減少約 7 成、年度現金利息支出降低約 6 成，以財務體質更健康的狀態重新出發；這場重整反映的正是產業擴產過快、電動車需求不如預期的結構性壓力，也是Wolfspeed 從碳化矽龍頭走向破產的背景。
與此同時，AI 資料中心的高壓供電需求成為新的成長來源。Coherent 已在 2025 年 12 月發表 300mm SiC 平台，並於 2026 年 8 月開始送樣給客戶，訴求是用更大尺寸、更高熱傳導的基板應付 AI 伺服器機櫃愈來愈高的供電密度與散熱壓力。電動車降溫、AI 供電接棒，是理解目前 SiC 概念股表現分化的關鍵背景。
台股 SiC 概念股：基板、磊晶、晶圓代工三種角色
台灣廠商在 SiC 供應鏈中，多半扮演基板、磊晶代工與晶圓代工的角色，較少直接面對電動車終端客戶，營收波動主要跟著歐美 IDM 大廠的委外訂單走。
| 公司（代號） | 供應鏈角色 | 最新進展 |
|---|---|---|
| 環球晶（6488） | 全球前三大矽晶圓廠，跨足 SiC 基板與磊晶 | 2025 年第三季法說會宣布 12 吋 SiC 晶圓完成開發並進入送樣階段 |
| 太極（4934）／子公司盛新材料 | SiC 晶棒與基板製造 | 持續擴充 SiC 產能，產品線由 4 吋往 6 吋推進 |
| 合晶（6182） | 矽晶圓為主力，子公司跨入 SiC 領域 | 12 吋新廠陸續量產，目標挑戰 2026 年營收百億元 |
| 嘉晶（3016） | SiC／GaN 磊晶代工 | 8 吋磊晶已通過客戶驗證，力拚 2026 年營收轉為成長 |
| 漢磊（3707） | 台灣最大 SiC 晶圓代工廠 | 2026 年 5 月合併營收 5.9 億元，年增 27.97%；與世界先進合作開發 8 吋 SiC，目標 2026 年下半年量產 |
| 世界先進（5347） | 晶圓代工大廠，入股漢磊共同開發 8 吋 SiC | 斥資新台幣 24.8 億元取得漢磊 13% 股權，初期鎖定工控與消費性產品應用 |
| 強茂（2481）／台半（5425） | 下游功率元件廠，延伸推出 SiC MOSFET 產品線 | 產品規格涵蓋 650V 至 1200V 應用 |
漢磊與世界先進的 8 吋合作案是觀察台廠進度的指標：兩家公司規劃初期先從工控與消費性產品切入，待良率與成本站穩後，才會擴大到電動車與 AI 資料中心應用，這也呼應了 SiC 製程從 6 吋轉 8 吋良率爬升需要時間的技術現實。
美股 SiC 概念股：從垂直整合大廠到 AI 供電新玩家
美股 SiC 相關企業多半是掌握從基板到模組的垂直整合 IDM 廠，直接面對電動車廠與資料中心客戶的訂單與庫存週期，波動也因此比扮演代工角色的台廠更明顯。
| 公司（代號） | 供應鏈角色 | 最新動態 |
|---|---|---|
| Wolfspeed（WOLF） | SiC 垂直整合先驅，涵蓋晶棒到功率元件，擁有 200mm 產線 | 2025 年 9 月完成財務重整，總債務減少約 7 成，脫離破產保護重新出發 |
| 安森美（ON） | IDM，EliteSiC 產品線導入 900V 平台 | 受美國電動車買氣放緩與租稅優惠取消影響，2026 年第一季營收較 2024 年同期下滑 |
| 意法半導體（STM） | IDM，SiC MOSFET 與模組用於電動車逆變器、車載充電機 | 持續供應歐系車廠與工業電源客戶 |
| Coherent（COHR） | SiC 基板與磊晶供應商，由 200mm 跨入 300mm | 2025 年 12 月發表 300mm SiC 平台，2026 年 8 月啟動客戶送樣，鎖定 AI 資料中心供電與散熱 |
| 納微半導體（NVTS） | 以 GaN 為主力，透過 GeneSiC 產品線切入 SiC 領域 | 2026 年於 PCIM 展會展示 AI 資料中心與電網用 GaN／SiC 整合供電方案 |
對照台股與美股的角色，可以看出同樣是「SiC 概念股」，承受的景氣風險並不相同：Wolfspeed 走過破產重整、onsemi 營收受電動車降溫拖累，反映的是終端庫存週期的直接衝擊；台廠則因為是代工角色，訂單能見度更貼近下游客戶的擴產步調，兩者的股價驅動邏輯需要分開看待。
常見問題
Q1：碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）差在哪裡？
兩者都屬於寬能隙材料，但應用重心不同。 SiC 耐壓與耐大電流能力較強，適合電動車逆變器、充電樁與高壓電源等場景；GaN 則在高頻切換與元件小型化上更有優勢，常見於快充器與部分資料中心電源模組。完整的材料特性與台股供應鏈對照，可參考第三代半導體是什麼這篇文章。
Q2：SiC 概念股中，台股和美股的風險特徵一樣嗎？
不一樣。 台廠多半扮演磊晶代工與晶圓代工角色，營收連動的是歐美 IDM 大廠的委外訂單量；美股企業多為掌握基板到模組的垂直整合廠，直接面對車廠與資料中心客戶的庫存週期波動，像 Wolfspeed 歷經破產重組、onsemi 受電動車降溫衝擊營收，都是終端需求直接反映到財報的例子。投資人在比較兩地概念股時，應留意這層供應鏈位置的差異，並自行研判風險。
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