一、重點
NVIDIA 宣布選用 Navitas 的 GaNFast™ 氮化鎵與 GeneSiC™ 碳化矽技術。
雙方將共同開發 800 V HVDC（高壓直流）電源基礎設施，用於下一代「Kyber」機架平台與 GPU（如 Rubin Ultra）。
新架構瞄準 1 MW 以上 IT 機架，為高功耗 AI 計算建立高效率、可擴充的供電方案。
二、為什麼是 800 V HVDC？
現行 54 V 低壓直流架構受限於電流、銅排重量與效率。
800 V 可在相同功率下將電流減半，銅線重量最多減少 45%，每座 1 MW 機架可省下逾 200 kg 銅材。
NVIDIA 計畫將 13.8 kV 交流電直接轉換為 800 V HVDC，省去多級 AC/DC、DC/DC 轉換，整體效率提升約 5%。
三、Navitas 技術亮點
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GaNSafe™ IC：整合驅動、控制與保護，350 ns 內短路關斷，2 kV 全腳位 ESD 防護。
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GeneSiC™ G3F SiC MOSFET：專利「Trench-assisted Planar」結構，溫度降 25 °C，壽命較同業延長 3 倍。
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80–120 V 中壓 GaN 器件：優化二級 DC-DC 模組，支援 48–54 V 輸出，符合現行 GPU VRM。
四、效益與目標
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端到端電源效率最高可增加 5%。
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PSU 故障率大幅降低，維護成本預估省下 70%。
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直接 HVDC 供電減少機櫃散熱負擔，冷卻成本同步下降。
五、AI 資料中心布局進展
Navitas 已發布多款高功率電源：
3.2 kW CRPS（體積縮小 40%）。
4.5 kW CRPS（功率密度 137 W/in³，效率 >97%）。
8.5 kW 及最新 12 kW PSU（符合 OCP ORv3，整機效率達 98%）。
Navitas 自研 IntelliWeave™ 數位控制技術，將 PFC 峰值效率推至 99.3%。
六、產業影響與概念股
| 供應鏈環節 | 受惠公司 | 關聯性 |
|---|---|---|
| GaN／SiC 功率元件 | Navitas (NVTS) | 直接合作夥伴，供應 HVDC 關鍵器件。 |
| 先進封裝／測試 | 台積電 (TSM) | GaN、SiC 晶片交由代工製造。 |
| 資料中心系統整合 | NVIDIA (NVDA) | Kyber 機架、Rubin Ultra GPU 需求帶動。 |
| 銅排與配電模組 | 台達電 (2308)、光寶科 (2301) | 54 V 轉 800 V 需改版配電解決方案。 |
七、投資人須知的風險。
HVDC 標準尚在導入初期，業界需重新驗證安全與相容性。
GaN／SiC 產能擴張速度將影響成本下降曲線。
若 AI CapEx 週期放緩，電源升級步調可能延後。
八、結語。
800 V HVDC 架構象徵 AI 資料中心電源進入「高壓直流時代」。
NVIDIA 與 Navitas 的合作結合 GaN 與 SiC 優勢，為 1 MW 以上超高功率機架鋪路。
高效率、低銅耗與簡化架構可望成為未來大型雲端與企業 AI 工廠的新標準，相關供應鏈與半導體廠商將迎來長線機會。
