三星傳找台積電做客製 HBM:自家有晶圓廠,為何還要找對手?

口袋學堂編輯團隊
口袋學堂編輯團隊市場分析師更新於 2026/10/20

AI 速讀・三點掌握全文

  • •三星傳將客製化 HBM 的底層邏輯晶粒外包給台積電 3 奈米代工。
  • •Nvidia 將記憶體控制器整合至 HBM 基礎晶粒,推動跨廠商一致設計。
  • •三星採自製與外包並行策略,藉由讓步晶圓代工以換取 HBM 供貨機會。
三星傳找台積電做客製 HBM:自家有晶圓廠,為何還要找對手?

三星自己就有晶圓代工,為什麼還可能把 HBM 的部分晶片交給競爭對手台積電(2330)?答案藏在 HBM 最底下那片負責連接與傳輸的邏輯晶粒,以及客戶想怎麼設計整套 AI 晶片。

2026 年 10 月 18 日《首爾經濟日報》引述業界消息,指出三星將在 Nvidia 客製 HBM「NVHBM」的基礎晶粒採用台積電 3 奈米製程。這項代工安排仍屬報導;已經確定的是,Nvidia 公布的 NVHBM 正把原本位於運算晶片上的部分功能,搬進記憶體堆疊。理解這個改變,才能看懂三星為何有理由接受跨公司分工。

  • 分清外包部位:報導談的是底部邏輯基礎晶粒,上方儲存資料的 DRAM 仍是另一個製造環節。
  • 客戶參與更深:NVHBM 把 Nvidia 的記憶體控制器整合進 HBM,讓共同設計與多家供應商的一致驗證更重要。
  • 收入仍有條件:台積電可能增加基礎晶粒代工生意,實際貢獻要看量產時間、投片規模、價格及取得比重。

一、HBM 像多層倉庫,底層負責對外連接

HBM 是高頻寬記憶體,可以把它想成蓋在 GPU 等運算晶片旁邊的多層倉庫:上方一層層 DRAM 晶粒儲存資料,底部則有基礎晶粒(base die),銜接記憶體堆疊與外部運算晶片。

多層 DRAM 透過穿過矽晶粒的垂直連線互通,也就是矽穿孔 TSV。這種把記憶體堆高、放近運算晶片的方式,讓資料能走較短的路、透過很寬的介面傳輸,減少運算核心等資料的瓶頸。

同樣叫 HBM,裡面卻有兩種工作:DRAM 擅長存資料,邏輯基礎晶粒負責介面與傳輸相關功能。兩者使用的製程不同,製造者也可以不同。SK 海力士早在 2024 年便公告與台積電合作開發 HBM4,採用台積電邏輯製程製造基礎晶粒。

想先掌握記憶體原廠、封裝與設備的角色,可延伸閱讀HBM 是什麼與台股供應鏈分工。

二、NVHBM 的改變:把調度資料的控制器搬進來

倉庫有了出入口,還要有人安排何時讀取、寫入與傳送資料。這個調度角色,就是記憶體控制器。Nvidia 說明,傳統 HBM 架構的控制器位於運算晶片上;NVHBM 則把 Nvidia 的客製控制器整合進 HBM 基礎晶粒。

從空間來看,運算晶片原本得留位置給記憶體控制電路,現在可以把部分面積用於其他功能。從整合來看,HBM 底層也不再只是記憶體廠自行決定的介面,而要與客戶的運算架構一起設計。

一般 HBM 的記憶體控制器位於運算晶片;NVHBM 將控制器整合進 DRAM 堆疊下方的基礎晶粒,兩種架構的運算晶片都與 HBM 並排。
圖一:控制器位置的概念對照。銅色區域表示整合於晶粒內的電路,不是另外加裝的晶片;層數與比例僅為示意。

Nvidia 宣稱,相較標準 HBM4E,NVHBM 可提供最高 30% 的記憶體頻寬提升,並降低 15% 的 HBM 功耗。這些比較針對記憶體,實際 AI 工作的加速幅度還要看運算、通訊與軟體是否同時跟得上。

讓客戶願意投入共同設計的理由就在這裡:昂貴的運算晶片若一直等資料,再多運算核心也難充分發揮。改善記憶體與運算晶片之間的配合,可能比單純把 DRAM 容量加大更有價值。

三、報導中的台積電 3 奈米,與三星自家產品要分開看

這次最容易混淆的是產品範圍。三星已公告的 HBM4、已送樣的 HBM4E,以及 Nvidia 的客製 NVHBM,不能全部視為同一條製造路線。

三星 HBM 自家產品與客製 NVHBM 的差別(2026 年)
產品基礎晶粒製程與進度
HBM4三星 2 月宣布量產及商業出貨,採自家 4 奈米邏輯基礎晶粒。
HBM4E三星 5 月宣布送樣,同樣採自家 4 奈米基礎晶粒。
客製 NVHBMNvidia 8 月公布架構;10 月韓媒報導三星將採台積電 3 奈米製造基礎晶粒。

表中的 3 奈米與 4 奈米,指的是底部邏輯晶粒;上方 DRAM 另有記憶體製程。對投資人而言,這則消息的新增意義是特定客戶的客製產品可能改變代工分配,不能據此認定三星所有 HBM 都改交台積電。

四、三星有工廠,為什麼仍可能接受外包?

因為在客製 HBM 裡,客戶買的是能與整套 AI 系統配合的產品,不只是一疊記憶體。

Nvidia 已說明,要建立可由多家記憶體業者提供的共同 NVHBM 實作,減少跨供應商的整合與驗證負擔。韓媒則報導,Nvidia 要求三星、SK 海力士與美光的 NVHBM 基礎晶粒採台積電 3 奈米製程,以配合一致設計。

對三星而言,集團內有兩門相關生意:記憶體事業希望供應客戶的 HBM,晶圓代工事業則希望製造其中的邏輯晶粒。兩項目標不一定每次都能同時達成。若客戶指定的設計需要外部製程,接受部分外包,就可能換取參與完整 HBM 供貨的機會。這是從產業分工推導的商業取捨;本案的內部成本、報價與利潤分配尚未公開。

最有力的另一面,是三星仍有自己的完整製造路線:已公告的 HBM4E 就繼續使用自家 4 奈米基礎晶粒。這表示自製與外包可以依產品、客戶並存,外包某個客製版本,不等於放棄自家代工。同一篇報導也提到,三星仍在評估自家代工能否製造 NVHBM 基礎晶粒,作為需求超出台積電產能時的備援。

台積電在這種分工中提供邏輯製造能力;三星提供 DRAM 與記憶體產品能力;Nvidia 則更深參與控制器與系統規格。客製化讓合作更緊密,也讓大客戶更有理由指定關鍵設計與製程。誰能多留下利潤,還取決於不可替代性、價格與交貨能力。

五、台積電的機會,如何變成實際收入?

若報導中的合作落實,台積電最直接承接的是邏輯基礎晶粒的晶圓代工。上層 DRAM 的製造,以及後續把 HBM 與運算晶片整合的封裝,屬於其他環節;整套 HBM 的售價不會全部成為台積電收入。

概念上,可以先用「本案晶圓投片數 × 每片成交價格」理解代工收入的規模,再對齊交貨與收入認列期間。若從 AI 平台出貨推估,還得知道每套用幾顆 HBM、有多少採用 NVHBM,以及台積電拿到多少代工比重。

目前可查閱的資料尚未提供本案明確量產日、投片量與價格,因此還無法估算營收或 EPS 貢獻。即使接到生意,收入扣掉製造成本與折舊後才形成獲利;若先進製程產能吃緊,也要考慮是否排擠其他產品的配置。

後續能把這個題材往前推進的,是三個具體證據:

  • 合作確認:公司是否正式確認台積電製程、產品範圍與分工。
  • 量產進度:客製產品何時完成驗證、開始量產與交貨。
  • 商業規模:投片量、成交價格與代工占比,是否足以影響台積電營運。

這則消息最值得理解的變化,是 HBM 底層開始承載更多客戶自訂的邏輯,讓記憶體原廠、晶圓代工廠與系統客戶必須一起決定怎麼做。三星與台積電能在代工市場競爭,也能在同一套客製記憶體裡各做一部分生意。

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專注於台股產業鏈深度解析、美股總體經濟脈動與全球 ETF 資產配置,以嚴謹數據與結構化觀點為底層邏輯,致力於為投資人過濾市場雜訊,建立清晰、即時且具實戰價值的決策地圖

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