記憶體爆發:美光科技 (MU) 財報 FY2026 Q2 營收達239億美元!記憶體產業是否進入無限擴張期?

口袋學堂編輯團隊
口袋學堂編輯團隊市場分析師更新於 2026/03/19

AI 速讀・三點掌握全文

  • •美光第二季營收達兩百三十九億美元創下連續四季新高
  • •美光第三季毛利率指引上看八成且營收獲利皆超預期
  • •美光憑藉高頻寬記憶體與輝達合作逐步縮小與對手差距
記憶體爆發:美光科技 (MU) 財報 FY2026 Q2 營收達239億美元!記憶體產業是否進入無限擴張期?

重點速覽

  1. Q2 創下四連季營收新高

    美光科技(MU)於2026年3月18日公布 FY2026 Q2(財季結束日:2026年2月26日)財報,單季合併營收達239億美元,較上季大幅成長75%、較去年同期暴增196%,為連續第四季創下歷史新高。Non-GAAP 每股盈餘為12.20美元,遠優於市場預期的9.31美元,超出幅度約31%。

  2. 毛利率75%、史上最高;Q3指引更上看81%

    FY2026 Q2 毛利率達75%,較前季躍升18個百分點,為公司成立以來最高紀錄,主要驅動力來自 DRAM 與 NAND 報價同步大幅攀升。更令市場驚艷的是,Q3 指引毛利率預計進一步擴張至約81%,公司預估 Q3 單季營收約335億美元(中位數),EPS 約19.15美元,全面超越分析師預期。

  3. 美光 vs. SK Hynix:HBM 市場誰更強?

    在高頻寬記憶體(HBM)市場,SK Hynix 目前仍占據較高市占率,三星則持續追趕,美光憑藉 HBM4 與 NVIDIA Vera Rubin 的深度合作,以及 FY2025 年已追平 DRAM 市占比例的 HBM 份額,逐步縮小與 SK Hynix 之間的差距。AI 驅動的多世代需求是三家廠商共同的長期機會,但各自的產能擴張節奏與良率爬坡速度,仍是差異化的關鍵變數。

2026年3月18日盤後,美光科技(Micron Technology,MU)發布 FY2026 第二季財報,以季營收239億美元、毛利率75%、Non-GAAP EPS 12.20美元的成績單,全面超越指引上緣與市場共識,並祭出 Q3 創紀錄的335億美元營收指引,引爆市場高度關注。本文根據美光法說會逐字稿與公開財報數字,完整還原這份里程碑財報的每一個面向,協助投資人自行研判。

 

一、FY2026 Q2 核心財務數據總覽

此次財報期間為2025年11月28日至2026年2月26日,以下數字均來自美光官方新聞稿及法說會公開資訊。

 

FY2026 Q2 關鍵財務指標一覽

美光科技MU FY2026 Q2財報主要財務指標,包含營收、毛利率、EPS、現金流等數據
財務指標 FY2026 Q2 實際值 較上季(Q1)變動 較去年同期(FY2025 Q2)變動
合併營收 239億美元 +75% +196%
DRAM 營收 188億美元(占比79%) +74% +207%
NAND 營收 50億美元(占比21%) +82% +169%
毛利率(GAAP) 75%(歷史新高) +18個百分點 約翻倍(去年同期約38%)
營業利益 165億美元 — +810%
營業利益率 69% +22個百分點 +44個百分點
GAAP 淨利 138億美元 — +771%
GAAP 稀釋 EPS 12.07美元 — +756%
Non-GAAP EPS 12.20美元 +155% +682%
營業現金流 119億美元 — +202%
自由現金流(FCF) 69億美元(歷史新高) +77%(超越上季紀錄) —
資本支出(CapEx) 50億美元 — +58%
現金及投資合計 167億美元 — —
淨現金部位 65億美元(歷史最高) — —
季度股利 0.15美元(較前季提高30%) +30% —

資料來源:美光科技 FY2026 Q2 官方新聞稿及法說會逐字稿(2026年3月18日公布)。

值得特別關注的是,季營收環比增加的絕對金額高達102億美元,為美光歷史上單季最大環比增幅;Q3 單季營收指引(約335億美元)已超越美光自成立以來截至 FY2024 任一完整會計年度的全年營收,意味著公司的成長軌跡已進入前所未有的新量級。

 

二、四大業務部門:雲端、資料中心、行動、車用各創新高

美光的業務分為四個部門:雲端記憶體業務單元(CMBU)、核心資料中心業務單元(CDBU)、行動與客戶端業務單元(MCBU),以及汽車與嵌入式業務單元(AEBU)。此次四個部門全數創下歷史新高,是美光財報史上首次出現的全壘打。

 

四大業務部門 FY2026 Q2 表現

美光科技FY2026 Q2四大業務部門營收、毛利率及主要驅動因素比較
業務部門 Q2 營收 占總營收比重 毛利率 主要驅動因素
雲端記憶體(CMBU) 77億美元(歷史新高) 32% 74%(+9個百分點環比) AI 資料中心 DRAM 及 HBM 需求暴增,報價大幅攀升
核心資料中心(CDBU) 57億美元(歷史新高) 24% 74%(+23個百分點環比) 企業 SSD 市占創歷史新高,G9 NAND PCIe Gen6 SSD 量產
行動與客戶端(MCBU) 77億美元(歷史新高) 32% 79%(+25個百分點環比) 旗艦手機 DRAM 含量升至12GB以上,LPDDR5X 大量出貨
汽車與嵌入式(AEBU) 27億美元(歷史新高) 11% 68%(+23個百分點環比) L2+ ADAS 普及加速,車用 DRAM 與 UFS NAND 需求持續成長

資料來源:美光科技 FY2026 Q2 法說會逐字稿(CFO Mark Murphy 報告部分)。

 

行動端:旗艦手機 DRAM 含量的結構性轉變

此次法說會中,執行長 Sanjay Mehrotra 揭露了一個耐人尋味的數據:搭載12GB以上 DRAM 的旗艦智慧型手機比例,在一年內從不到20%躍升至近80%。三星 Galaxy S26、Google Pixel 10 等新旗艦均已將智慧代理(Agentic AI)整合進行動作業系統,推動手機 DRAM 含量出現結構性提升,形成美光行動端業務的長期成長基礎。

 

三、DRAM 與 NAND 供需分析:報價為何持續攀升?

美光 FY2026 Q2 毛利率飆升的最核心原因,在於 DRAM 與 NAND 報價在供需嚴重失衡的環境下同步大幅走高。CFO Mark Murphy 在法說會中提供了具體的報價漲幅數字,是理解本季財報的關鍵背景。

 

Q2 DRAM 與 NAND 報價漲幅

美光科技FY2026 Q2 DRAM與NAND報價環比漲幅及位元出貨量變化
品項 Q2 報價環比漲幅 Q2 位元出貨量環比 供需現況
DRAM 約+65%至+67% +mid-single digits(中個位數%) 嚴重供不應求,部分客戶僅能獲分配50%至三分之二的需求量
NAND 約+75%至+79% +low-single digits(低個位數%) 需求顯著超過可供應量,資料中心 NAND 需求在可預見未來持續超供

資料來源:美光科技 FY2026 Q2 法說會逐字稿(CFO Mark Murphy 報告部分)。

 

供應端受限的結構性因素

美光管理層在法說會上系統性地解釋了為何供應無法快速跟上需求。在 DRAM 方面,製程節點微縮帶來的每片晶圓位元成長速度正在下降,潔淨室(Cleanroom)空間受限且建設工期漫長,HBM 生產需要更高的晶圓用量換算比(Trade Ratio),而新增產能幾乎都需要從頭打造全新廠房(Greenfield),物理工程上的限制短期內難以突破。在 NAND 方面,部分業者將原有 NAND 潔淨室改建為 DRAM 用途,整體潔淨室空間受限也壓縮了 NAND 的擴張空間。Mehrotra 在法說會上直言,部分關鍵客戶目前僅能獲得其需求量的50%至三分之二,且此一狀況在中期內仍將持續。

 

四、HBM 與 AI 記憶體的長期成長邏輯

高頻寬記憶體(HBM,High Bandwidth Memory)是本次財報及法說會中討論最為密集的產品線,也是美光 AI 記憶體策略的核心。美光的 HBM 旅程,從起步落後、到 FY2025 年追平 DRAM 市占比例,再到如今率先量產供應 NVIDIA Vera Rubin 平台所需的 HBM4,已走出了清晰的成長軌跡。

 

HBM 產品路徑與進度

美光科技HBM高頻寬記憶體產品路徑,從HBM3E到HBM4再到HBM4E的時間表與對應平台
產品世代 目前狀態 對應平台/客戶 備注
HBM3E 量產中,持續供應 NVIDIA H200 等現役平台 CY2025年達成與 DRAM 市占率相當的 HBM 份額
HBM4 36GB 12-Hi 已於 CY2026 開始量產出貨 NVIDIA Vera Rubin 達成成熟良率的速度預計比 HBM3E 更快
HBM4 16-Hi(48GB) 已完成樣品送樣 尚未公布 較12-Hi 提升33%容量
HBM4E 開發中,預計 CY2027 量產 次世代 AI 加速器 採用1γ DRAM 製程節點;HBM4D 客製化選項提供進一步差異化

資料來源:美光科技 FY2026 Q2 法說會逐字稿(Sanjay Mehrotra 發言部分)。

 

AI 為何驅動記憶體需求持續增加?

Mehrotra 在法說會上以一段簡潔有力的邏輯陳述了 AI 與記憶體需求的正向飛輪效應:更多記憶體讓 AI 更聰明,具備更長的上下文窗口(Context Window)與更深的推理鏈(Reasoning Chain),使 AI 得以處理更複雜的問題,進而帶動更多運算工作負載與更大量的記憶體需求。他特別指出,根據美光的估算,到 CY2026 年,AI 數據中心對 DRAM 與 NAND 的需求,將首度超越全球記憶體產業 TAM(總可及市場)的50%,這是一個具有歷史意義的里程碑。在此背景下,美光預計 CY2026 年伺服器出貨量將以低雙位數百分比成長,且 AI 伺服器與傳統伺服器的 DRAM 含量都將持續提升。

 

首份五年戰略客戶協議(SCA)的意義

美光在本季法說會中宣布簽署公司成立以來首份「戰略客戶協議」(Strategic Customer Agreement,SCA),期限長達五年,是對傳統一年期長期協議(LTA)的重大升級。Mehrotra 表示,SCA 為雙方提供具體的供貨量與採購量承諾,讓美光在進行大規模資本支出決策時擁有更清晰的能見度,同時也讓客戶得以對其 AI 基礎設施的長期供應鏈進行更穩健的規劃。美光未透露該 SCA 的客戶名稱,但強調目前正與多家客戶洽談中,且涵蓋多個市場。

 

五、FY2026 Q3 指引與資本配置計畫

美光給出的 Q3 指引全面突破市場預期,也是本次財報最令投資人印象深刻的亮點之一。

 

FY2026 Q3 官方指引

美光科技FY2026 Q3官方財務指引,包含營收、毛利率、EPS及資本支出預測
指引項目 Q3 指引(中位數) 對應分析師原預期 超越幅度
季營收 335億美元(±7.5億) 約243億美元 約+38%
毛利率 約81% 約75%(市場估算) +6個百分點
Non-GAAP EPS 19.15美元(±0.40) 約12.05美元 約+59%
季資本支出 約70億美元 — —
全年資本支出(FY2026) 超過250億美元 — (較前次法說會指引上調)

備注:Q3 指引不含貿易或地緣政治發展的潛在影響,分析師預期數字來自 LSEG 共識,資料時間為2026年3月18日。

 

全球產能擴張計畫

面對供需持續嚴重失衡,美光正積極推進全球最大規模的產能擴張計畫。在美國,愛達荷州(Boise)第一座新廠房預計於 CY2027 年中開始初期晶圓產出,第二座廠房也已開始地基整備;紐約州 Tongluo 園區則已破土動工,預計 CY2028 年下半年開始晶圓產出,這是美國史上最大的晶片製造廠投資計畫,總金額達1,000億美元。在台灣,美光於2026年3月提前完成收購銅鑼廠址(原力晶半導體),預計自 FY2028 起開始出貨,並計畫在現有廠房旁開建規模相當的第二個潔淨室。在日本,廣島廠的潔淨室擴建地基整備工作也正順利推進。在新加坡,HBM 先進封裝設施預計於 CY2027 年對美光整體 HBM 產能提供有意義的貢獻,新的 NAND 廠也已動工,預計 CY2028 年初步產出。

 

資本配置:派息增30%、持續還債、伺機回購

美光董事會在本季宣布將季度現金股利調高30%至每股0.15美元,反映管理層對業務持續強勁的高度信心。截至 Q2 季末,美光淨現金部位達65億美元,為公司歷史上最高。CFO Murphy 表示,Q3 自由現金流預計較 Q2 再度大幅增長,公司將持續以償還債務、增加股利、以及在符合 CHIPS 法案規定的範圍內進行機動性股票回購為資本配置優先順序。

 

六、常見問題 FAQ

 

|Q1:美光 FY2026 Q3 指引這麼強,為何盤後股價反而下跌?

A:財報公布後股價走勢受多重因素影響,強勁指引不等於股價立即上漲。
理由:美光盤後股價小幅走低,主要反映「Buy the rumor, sell the news(買預期、賣事實)」的市場行為,加上部分投資人對 PC 與智慧型手機出貨量可能因供應緊缺而在 CY2026 出現低雙位數百分比下滑的疑慮,以及超高指引是否已充分反映在前期股價漲幅(年初至今已漲逾62%)等考量。財報本身的基本面數據毫無疑問是公司歷史新高,短期股價反應與長期基本面之間的分歧,投資人宜分開解讀。

 

|Q2:美光、SK Hynix、三星在 HBM 市場上,誰的競爭力最強?

A:三者各有優劣,SK Hynix 目前市占率領先,美光在 HBM4 世代後發追趕,三星則持續迎頭趕上。
理由:SK Hynix 憑藉較早量產 HBM2E 與 HBM3E,目前在 HBM 市場占有最高份額;美光在 HBM3E 起步稍晚,但 FY2025 年已將 HBM 市占追至與整體 DRAM 市占比例相當,且 HBM4 已率先通過 NVIDIA Vera Rubin 設計認證並開始量產,良率爬坡速度也優於 HBM3E;三星則因 HBM3E 良率問題一度落後,但正持續追趕中。長期而言,三者均是 AI 時代 HBM 需求的主要受益者,差異在於各自的技術節奏與客戶認證進度。

 

|Q3:美光股票是否受台灣地緣政治風險影響?

A:美光確實在台灣持有重要的生產資產,地緣風險是需要評估的因素,但美光也在積極推動製造多元化。
理由:美光剛完成收購銅鑼廠址,台灣仍是其重要製造據點之一。然而,美光同時積極在美國(愛達荷州、紐約州)、日本(廣島)、新加坡等地建設新廠,是目前半導體業者中全球製造版圖最為多元化的廠商之一。此外,美光是美國唯一一家自製先進記憶體的廠商,在美國政府「半導體在地化」政策下具有戰略重要性。投資人在評估地緣政治風險時,應將美光的全球分散化進程納入整體考量。

 

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專注於台股產業鏈深度解析、美股總體經濟脈動與全球 ETF 資產配置,以嚴謹數據與結構化觀點為底層邏輯,致力於為投資人過濾市場雜訊,建立清晰、即時且具實戰價值的決策地圖

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